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朗科NV2000 M.2 SSD评测:高性能表现,为平台提速!

2021-10-22 16:50 作者:Aaron 来源:硅谷网综合 关注: 编辑:GuiGu 【搜索试试

现在装机,固态硬盘必可不少,早已取代传统机械硬盘成为首选。而随着电脑硬件的更新换代与技术革新,NVMe M.2 SSD慢慢取代SATA SSD成为市场的主流。近日,朗科推出旗下中高端定位的NVMe M.2 SSD--NV2000系列新品,采用PCIe Gen3.0x4和NVMe 1.4协议,我们拿到512GB版本,接下来一起看看它的性能表现吧?

在性能测试之前,先带大家了解朗科NV2000 NVMe M.2 SSD是一款怎样的产品?

朗科NV2000 NVMe M.2 SSD开箱:

▲朗科NV2000 NVMe M.2 SSD的外包装

 

朗科NV2000 NVMe M.2 SSD采用全新品牌包装设计,主体深灰色搭配一抹红色点缀,更具现代感与科技感。包装盒正面有一个小橱窗,透过小窗口,让消费者直观看到产品。此外,包装正面还能读到一些关键信息,比如NVMe M.2固态硬盘,PCIe Gen3x4接口,2280的尺寸。

朗科NV2000 NVMe M.2 SSD的宽度为22mm,长度为80mm,标准的产品尺寸,兼容性没问题,目前带M.2插槽的台式机主板都能装,而且笔记本也能用。

朗科NV2000 NVMe M.2 SSD虽然不配备独立的缓存芯片,但是它所采用的NVMe协议是支持HMB(Host Memory Buffer主机内存缓冲)技术,确保了性能的发挥。这一点SATA SSD是不具备的。

朗科NV2000 NVMe M.2 SSD是走PCIe Gen3.0x4通道,要安装在对应的M.2插槽上,才能发挥出性能优势。

作为朗科旗下定位中高端的M.2 SSD,朗科NV2000 NVMe M.2 SSD提供5年质保,比普通SSD三年的质保时间更长,让消费者使用更放心,也从侧面体现朗科对于这款产品的品质抱有十足的信心。

 

撕掉产品正面标签,可以看到PCB板的正面布置一颗主控芯片以及4颗闪存芯片,没有看到缓存芯片。背面则是空白的,这种单面PCB布局,对于轻薄笔记本电脑的升级十分友好。

▲朗科NV2000 NVMe M.2 SSD采用Realtek 的RTS5765DL主控芯片。

 

Realtek(瑞昱)是一家知名的半导体企业,估计大家对“小螃蟹”网络芯片及音频芯片早已耳熟能详。近年来Realtek入军固态硬盘的主控芯片领域,推出的RTS5765DL主控得到了广泛运用。这是基于HMB(Host Memory Buffer)技术的DRAM-Less控制芯片,可以匹配最新NAND闪存,具备出色的数据安全性和LDPC纠错能力。

▲朗科NV2000 NVMe M.2 SSD的闪存芯片,采用了4颗,单颗128G,组成512G容量。

用Realtek Flash ID识别软件,可以看到这是YMTC TLC闪存。YMTC即长江存储,根据颗粒的规格信息,可以判断这是长江存储最新64层堆叠的TLC闪存。其采用自研的Xtacking堆栈结构,核心容量256Gb,拥有着不错的性能表现。目前众多的国产SSD品牌都采用该款闪存颗粒。

 

测试平台说明:

CPU:Intel Core i7-11700F (所有CPU节能特性关闭)

主板:七彩虹iGame Z590 Vulcan X

显卡:影驰名人堂RTX 3080 Ti

内存:威刚XPG D50 DDR4-3600 8Gx2

硬盘:金士顿KC2000 500G(系统盘)

测试盘:朗科NV2000 M.2 512G(从盘,空的)

系统:Windows 10专业版

驱动:系统默认stornvme

设置:关闭写入缓冲区刷新,电源项开启高性能模式

CrystalDiskInfo软件中,可以看到朗科NV2000 NVMe M.2 SSD的固件为VC0S0303,传输模式PCIe 3.0x4,标准NVM Express 1.4。读取量及写入量都是0,证明这是一块新盘。

基准性能测试:

基准测试1:CrystalDiskMark测试

在CDM测试中,朗科NV2000 NVMe M.2 SSD持续读写速度为2558,1981MB/s,4K随机读写QD1达到53MB/s,164MB/s,这成绩在一众PCIe 3.0x4 SSD中,处于中高端的水准,虽说离旗舰定位的产品有一定差距,但比起SATA SSD强太多。

 

AS SSD Benchmark测试,在4K-64Thrd测试项目上,跑出185K,255K 随机IOPS读写,比SATA SSD高出一个等级,在应付大型游戏,图形渲染,专业设计等重负载场景,这么高的IOPS,才能够游刃有余。

基准测试3:ATTO

ATTO测试中,测试了不同数据块大小的传输速度,从0.5KB到8192KB。

从64KB数据块开始,朗科NV2000 NVMe M.2 SSD就展现出高速表现,并且能维持稳定的高速读写,基本无波动。

基准测试4:PCMark8

PCMark8有专门硬盘测试项,测试项目包括 《魔兽世界》和《战地3》的游戏载入测试,Photoshop,Adobe InDesign,Adobe After Effects,Adobe lllustrator,微软Office Word,Office Excel以及Office PowerPoint等十项测试。

朗科NV2000 NVMe M.2 SSD的PCMark8得分为5063分,存储带宽563.92MB/s,这个成绩如何呢?我之前测试了一块三星970EVO Plus 1TB,是一款旗舰定位PCIe Gen3.0x4 M.2 SSD,它的PCMark8得分5074分,存储带宽582.52MB/s。这两款SSD价格差一大堆,但是成绩相近,朗科NV2000 NVMe M.2 SSD一样能够应付高强度,重负载的读写场景。

SLC Cache缓存测试:

在空盘的情况之下,朗科NV2000 NVMe M.2 SSD的SLC缓存容量约为180GB,考虑到无外置缓存设计,大容量SLC缓存空间在一定程度上能够保证它性能的表现。面对长时间高负载读写时,表现将更为从容。

进阶项目:4KB QD32 随机写入离散度测试

用IOMeter软件连续对SSD进行半个小时的高强度写入。设定: QD队列深度32;100%的随机写入;每秒记录一个数据,得到数据分布图如下:

在测试过程上,朗科NV2000 NVMe M.2 SSD的数值波动在15000-22000 IOPS值之间,没有出现那种大起大落,波动特别大的现象。这说明在应付高强度读写时,这款SSD的稳定性表现是不错的。像一些山寨盘,闪存颗粒品质不行,可能会出现归0或者数值突然掉得特别低的情况,这将严重影响读写的效率,也不适合重度负载。

Trim与GC测试:

空盘时的性能,写入较为平稳。

使用IOMeter对SSD全盘进行半小时的4K QD32随机写入后,立即测试。这时经历了重度负载之后,性能衰减近一半,波动较大,平均写入值从741MB/s跌到361MB/s。

闲置了一个小时,写入速度恢复到561MB/s,说明这盘的垃圾回收能力不错。既管长时间重度负载,也可以在较短时间恢复正常性能。

再分区格式化,进行全盘TRIM,朗科NV2000 NVMe M.2 SSD就恢复空盘时的速度。

 

总结:

 

朗科NV2000 NVMe M.2 512G SSD的持续读写速度能在2500,2000MB/s左右,4K随机读写也是中高端的水准。此外有大容量的SLC缓存空间,保证大容量/高强度写入时,不易掉速。在重度负载测试时,也看到它可靠的一面。

 

朗科NV2000 NVMe M.2 SSD采用Realtek RTS5765DL主控+长江存储64层TCL闪存的方案,是业界较为成熟方案,提供长达5年质保,诚意满满。总得来说,这样一款NVMe M.2 SSD,不管是新平台装机还是旧平台升级 ,都是不错的选项之一。

产品传送门:https://item.jd.com/100012686971.html

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